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簡要描述:PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)測量系統(tǒng),是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實現(xiàn)低溫電學(xué)測量或全溫區(qū)測量功能。
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產(chǎn)品描述
PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學(xué)樣品桿,是在標(biāo)配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊,實現(xiàn)低溫電學(xué)測量或全溫區(qū)測量功能。
透射電子顯微鏡指標(biāo):
△ 兼容型號電鏡及極靴;
△ 單傾可選高傾角版本;
△ 可選雙傾版本,β角傾轉(zhuǎn)±25°(同時受限于極靴);
△ 測量電極數(shù)可選。
電學(xué)測量指標(biāo):
△ 包含一個電流電壓測試單元;
△ 電壓輸出最大±200 V,最小±100 nV;
△ 電流測量最大±1.5 A,最小100 fA;
△ 恒壓或者恒流模式;
△ 自動電流-電壓(I-V)測量、電流-時間(I-t)測量,自動保存。
低溫指標(biāo):
△ 兼容MEMS加熱及電學(xué)芯片;
△ 全溫區(qū)測量,溫度范圍:85 K- 380 K;
△ 控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于±0.1 K;
△ 溫度連續(xù)可控
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